+7 (3822) 701 751
kazakova@main.tusur.ru
ФГБОУ ВО "ТУСУР"
Россия, Томск, пр. Ленина, 40
Регистрация
Напишите нам!
Close
Задать вопрос 
Разработки в области СВЧ, силовой электроники и МЭМС
MP560-GaAs усилитель мощности Ка диапазона

Интегральная микросхема усилителя мощности содержит три каскада на полевых транзисторах с затвором Шоттки, выполненных по технологии 0,25 мкм р-НЕМТ с интегрированными цепями согласования, кор-рекции амплитудно-частотной характеристики, а также ввода и блокировки питания

Технические характеристики (Т=25°C)
-1-
Параметр
Диапазон рабочих частот
Коэф. усиления в линейном режиме
Возвратные потери по входу
Возвратные потери по выходу
Выходная мощность при компрессии КУ на 1 дБ
Напряжение питания
Напряжение смещения
Ток покоя при напряжении питания +6В
-2-
Мин.
-
16

18

17

28

-
-1
-

-3-
Тип.
26-30
-

-

-

-

+6
-
700
-4-
Макс.
-
-

-

-

-

-
-0,4
-
Буклет
MP341 - GaAs шестиразрядный фазовращатель Ка диапазона

содержит шесть коммутируемых секций с номинальным вносимым фазовым сдвигом в диапазоне от 0⁰ до 355⁰ с шагом 5,625⁰. В качестве коммутационных элементов в схеме фазовращателя выступают нормально открытые полевые транзисторы с затвором Шоттки, выполненных по технологии 0,25 мкм р-НЕМТ, работающие в режиме управляемого сопротивления канала

Технические характеристики (Т=25°C)
-1-
Параметр
Диапазон рабочих частот
Вносимые потери
Возвратные потери по входу
Возвратные потери по выходу
СКО фазовой ошибки
СКО амплитудной ошибки
Линейная мощность по входу
Напряжение управления высокого уровня
Напряжение управления низкого уровня

-2-
Мин.
-
-
-

-

-
-
-

-1,8

-
-3-
Тип.
26-30
-
8

8

-
-
TBD

-2

0
-4-
Макс.
-
9,5
-

-

2
0,3
-

-2,5

-


Буклет
Комплект GaAsбескорпусных монолитных интегральных схем для применения в современных информационно-коммуникационных системах 5G

представляет собой монолитные интегральные схемы для однокристального передающего СВЧ электронного модуля изготовленного на основе гетеростурктур GaAs и работающего в различных поддиапазонах миллиметрового диапазона длин волн. Сфера применения комплекта GaAs бескорпусных монолитных интегральных схем – информационно-коммуникационные системы нового поколения 5G

Буклет
Электрооптический модулятор на основе квантоворазмерного эффекта Штарка на InP
предназначен для применения в передающих оптоэлектронных устройствах современных систем связи и радиолокации. Содержит в своем составе два оптических разветвителя, два оптоэлектронных канала, один оптический вход, один оптический выход, СВЧ и НЧ вводы, а также интегрированную согласовывающую нагрузку
Технические характеристики
-1-
Диапазон рабочих частот
от 0,1 до 40 Гц
-2-
Диапазон рабочих длин волн
от 1530 до 1560 нм
-3-
Полуволновое напряжение
не более 3,5 В
-4-
КСНВ по входу
не более 2,5
Буклет
Силовые диоды с барьером Шоттки на основе GaN

Опытные образцы силовых диоды с барьером Шоттки на основе GaN для систем вторичного электропитания. Максимальное обратное напряжение 300 В

Буклет
Силовой GaN транзистор
опытные образцы силовых коммутационных GaN транзисторов с шириной затвора до 20 мм (коммутируемый ток 30 А, напряжение 250 В), которые можно применять в системах вторичного электропитания
Технические характеристики
-1-
Параметр

Диапазон рабочих частот

Управляющее напряжение

Вносимые потери

Мощность потребления

Пропускаемая мощность сигнала

Изоляция между выводами

Контактное сопротивление

Волновое сопротивление

Количество циклов работы на отказ

-2-
Значение

от DC до 60 ГГц

20 ÷ 40 В

не более 0,2 дБ

менее 1 мкВт

До 10 Вт

не хуже 30 дБ

не хуже 3 Ом

50 Ом

Не менее 10^8

Буклет
Микроэлектромеханический переключатель для СВЧ устройств
предназначен для коммутации сигналов малой и средней мощности в СВЧ устройствах и предназначен для применения в следующих системах: военные и космические радары, телекоммуникационное оборудование, контроль-измерительные СВЧ приборы

Технические характеристики
-1-
Параметр

Drain-Source Leakage Current

Threshold Voltage

Continuous Drain-Source Current

Gate-Source Current

Drain-Source On Resistance

Drain-Source Blocking Voltage

Input Capacitance

-2-
Обозначение

Idss

Vth

Ids

Igs

Ron

BVds

Ciss

-3-
Значение

0.2µA/mm

1.0V

0.4A/mm

4µA/mm

7Ω x mm

250V

4pF/mm

Буклет
Напишите и мы Вам ответим!
Какая информация Вас интересует?
Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь c политикой конфиденциальности
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»
Адрес: 634050, Россия, г. Томск, пр. Ленина, 40
Телефон: (3822) 701 751
Факс: (3822) 51-32-62
E-mail: innovation@tusur.ru